какие микросхемы могут быть изготовлены без навесных элементов

Фото цифровой микросхемы

Микросхема представляет собой электронное устройство или его часть способную выполнять ту или иную задачу. Если бы потребовалось решить такую задачу, которую решают многие микросхемы, на дискретных элементах, на транзисторах, то устройство, вместо маленького прямоугольника размерами 1 сантиметр на 5 сантиметров, занимало бы целый шкаф, и было бы намного менее надежным. А ведь так выглядели вычислительные машины ещё пол-сотни лет назад!

Конечно, для работы микросхемы недостаточно просто подать питание на неё, необходим еще так называемый «обвес”, то есть те вспомогательные детали на плате, вместе с которыми микросхема сможет выполнять свою функцию.

Фото микросхемы со стороны крепления к радиатору

Но в соединении даже у тщательно отшлифованных радиатора и пластины, все равно будут микроскопические зазоры, в результате которых тепло от микросхемы будет менее эффективно передаваться радиатору. Для того чтобы заполнить эти зазоры применяют теплопроводящую пасту. Ту самую, которую мы наносим на процессор компьютера, перед тем как закрепить на нем сверху радиатор. Одна из наиболее широко применяемых паст, это КПТ–8.

Усилители на микросхемах можно спаять буквально за 1-2 вечера, и они начинают работать сразу, не нуждаясь в сложной настройке и высокой квалификации настраивающего. Отдельно хочу сказать про микросхемы автомобильных усилителей, из обвеса там иногда бывает буквально 4-5 деталей. Чтобы собрать такой усилитель, при определенной аккуратности, не требуется даже печатная плата (хотя она желательна) и можно собрать все навесным монтажем, прямо на выводах микросхемы.

Усилитель собранный навесным монтажем

Правда, такой усилитель после сборки лучше сразу поместить в корпус, потому, что такая конструкция ненадежна, и в случае случайного замыкания проводов можно легко спалить микросхему. Поэтому рекомендую всем начинающим, пусть потратить немного больше времени, но сделать печатную плату.

Регулируемый стабилизатор напряжения на микросхеме

Микросхемы на печатных платах в электронных устройствах могут быть припаяны как непосредственно, к дорожкам печати, так и посажены в специальные панельки.

Разница заключается в том, что в первом случае для того чтобы нам заменить микросхему нам придется её предварительно выпаять. А во втором случае, когда мы посадили микросхему в панельку, нам достаточно достать микросхему из панельки, и её можно с легкостью заменить на другую. Типичный пример замены микропроцессора в компьютере.

ПК Socket-478 процессора

Также, к примеру, если вы собираете устройство на микроконтроллере на печатной плате, и не предусмотрели внутрисхемное программирование, вы сможете, если впаяли в плату не саму микросхему, а панельку, в которую она вставляется, то микросхему можно достать и подключить к специальной плате программатора.

Вид платы программатора с панельками

В таких платах уже впаяны панельки под разные корпуса микроконтроллеров для программирования.

Аналоговые и цифровые микросхемы

Аналоговый сигнал рисунок

Цифровой сигнал это последовательность единиц и нулей, высокого и низкого уровня сигналов. Высокий уровень обеспечивается подачей на вывод 5 вольт или напряжения близкого к этому, низкий уровень это отсутствие напряжения или 0 вольт.

Цифровя форма сигнала рисунок

Фото АЦП мультиметра

Микроконтроллеры

Микроконтроллер в Dip корпусе

Это специальная микросхема, может выпускаться как в Dip так и в SMD исполнении, в память которой может быть записана программа, так называемый Hex файл. Это файл откомпилированной прошивки, которая пишется в специальном редакторе программного кода. Но мало написать прошивку, нужно перенести, прошить, её в память микроконтроллера.

Микроконтроллер в SMD корпусе

Фото роботов на автоматизированной линии

Форум по обсуждению материала МИКРОСХЕМЫ

Обсудим действующие стандарты радиосвязи, узнаем чем они отличаются, и когда использовать какие из них.

Варианты выполнения гальванической развязки USB порта. Современные микросхемы для емкостной, оптической и электромагнитной развязки.

Источник

Какие микросхемы могут быть изготовлены без навесных элементов

Биполярный транзистор состоит обычно из взаимодействующих

Выводы биполярного транзистора называются

Ключ на биполярном транзисторе может находиться в

В режиме насыщения у биполярного транзистора

— оба перехода открыты

В режиме отсечки у биполярного транзистора

— оба перехода закрыты

В активном режиме у биполярного транзистора

— переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

В инверсном режиме у биполярного транзистора

— переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

— коллекторный в обратном направлении

— эмиттерный в обратном направлении

— коллекторный в прямом направлении

— эмиттерный в прямом направлении

— коллекторный в прямом направлении

— эмиттерный в обратном направлении

— коллекторный в обратном направлении

— эмиттерный в прямом направлении

— коллекторный в прямом направлении

— эмиттерный в прямом направлении

— коллекторный в обратном направлении

— эмиттерный в обратном направлении

Закрытое состояние ключа на биполярном транзисторе соответствует

Открытое состояние ключа на биполярном транзисторе соответствует

В активном режиме в переходах биполярного транзистора происходят процессы

Основной режим работы биполярного транзистора в усилительных устройствах

Основными условиями для обеспечения усилительных свойств биполярного транзистора являются

— толщина базы должна быть мала

— концентрация основных носителей в базе больше, чем в коллекторе

В активном режиме поле обратно смещенного коллекторного перехода является ускоряющим для

— неосновных носителей базы

— перемещение дырок из эмиттера в базу

— перемещение дырок из базы в коллектор

— перемещение электронов из базы в коллектор

Наибольший коэффициент усиления по мощности дает схема включения биполярного транзистора с

Не дает усиления по току схема включения биполярного транзистора с

Не дает усиления по напряжению схема включения биполярного транзистора с

Не дает усиления по мощности схема включения биполярного транзистора с

— во всех указанных случаях он больше единицы+

У транзистора Т, изображенного на рисунке

— коэффициент по напряжению больше единицы; коэффициент усиления по току равен единице+

В биполярном транзисторе коэффициент передачи по току в схеме с общей базой a =0,99. коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером равен

В биполярном транзисторе ток эмиттера 100 мА, ток базы 2 мА. Ток коллектора равен

Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При этом ток эмиттера равен 10 мА, ток коллектора 9,8 мА. Если этот транзистор будет включен по схеме с общим эмиттером, то коэффициент передачи по току будет равен:

Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. При этом ток во входной цепи равен 100 мкА, выходной ток равен 9,9 мА. Если этот транзистор будет включен по схеме с общей базой, то коэффициент передачи по току будет равен:

Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При этом ток эмиттера равен 20 мА, ток коллектора 19 мА. Коэффициент передачи по току будет равен

В транзисторе ток эмиттера I э =9 мА, I б =100 мкА. Найти ток коллектора

Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

Наименьшее выходное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

Наибольшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

Наибольшее выходное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это

— изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе

В активном режиме на переходе коллектор-база определяющую роль играет

В активном режиме на переходе эмиттер-база определяющую роль играет емкость

На усилительные свойства биполярного транзистора сильнее влияет

— емкость эмиттерного перехода

Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система

— Н-параметры зависят от схемы включения биполярного транзистора

— Н-параметры имеют малые значения

— Н-параметры имеют большие значения

— измерение Н-параметров затруднительно

Коэффициент обратной связи по напряжению характеризует в биполярном транзисторе

— влияние напряжения коллектора на эмиттерный переход в связи с модуляцией толщины базы

-3коэффициент усиления по току

— 2коэффициент обратной связи по напряжению

Параметр h 11 биполярного транзистора характеризует

Параметр h 12 биполярного транзистора характеризует

— коэффициент обратной связи по напряжению

Параметр h 21 биполярного транзистора характеризует

— коэффициент передачи по току

Параметр h 22 биполярного транзистора характеризует

Определить изменение напряжения D U эб, если при неизменном напряжении коллектора, ток эмиттера изменяется с 4 мА до 6 мА. Входное сопротивление транзистора в режиме короткого замыкания по переменному току h 11 =10 Ом.

Определите по частотной характеристике биполярного транзистора

Определите по частотной характеристике биполярного транзистора предельную частоту.

Предельная частота транзистора w пр =5 МГц. Определить коэффициент передачи тока базы b на частоте 8,66 МГц, если на низких частотах он равен 96.

Если частота будет выше предельной в Ö 3 раз, коэффициент передачи по току транзистора уменьшится

На низких частотах коэффициент усиления по току h 21б =0,95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

На низких частотах коэффициент усиления по току h 21б =0,9. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

На низких частотах коэффициент усиления по току h 21э =95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

На низких частотах коэффициент усиления по току h 21э =60. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен

Усилительные свойства биполярного транзистора на высоких частотах ухудшаются, т.к. оказывают влияние

— емкость коллекторного перехода

Лучшими частотными свойствами обладает схема

Квазистатический режим работы биполярного транзистора – это

— режим работы биполярного транзистора с нагрузкой и в таком диапазоне частот, где не сказывается влияние реактивных элементов биполярного транзистора

Импульсный режим работы биполярного транзистора – это режим работы биполярного транзистора с

— сигналами большой амплитуды и малой длительности

Длительность переднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

— временем пролета носителей через базу, накопления заряда в базе

Длительность заднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

— временем рассасывания избыточного заряда в области базы

Емкость коллекторного перехода на выходное сопротивление биполярного транзистора влияет следующим образом

— выходное сопротивление биполярного транзистора с ростом частоты уменьшается

Менее подвержена влиянию температуры

— схема с общей базой

Шум в биполярном транзисторе – это

— беспорядочное изменение тока в цепи коллектора

Основными видами низкочастотного шума в биполярном транзисторе являются

— дробовой эффект и тепловые флуктуации

Более низкий уровень шума у

Большая устойчивость к радиации

— у полевых транзисторов

Меньше зависят от температуры параметры

Нецелесообразно использовать транзисторы в схемах

— усиления сигналов по мощности

Для преоб­разования электрической энергии больших мощностей целесообразно использовать

Входное сопротивление боль­ше у

Вывод полевого транзистора, к которому прикладывают управляющее напряжение, называется

Вывод полевого транзистора, к которому движутся основные носители заряда в канале, называется

Вывод полевого транзистора, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называется

Выводы полевого транзистора называются

Полевые транзисторы управляются

Полевые транзисторы делятся на

— транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник

Полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называется

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор,

— усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем

Полевой транзистор состоит из областей

— сток, затвор, исток, канал

Найдите соответствующему полевому транзистору его условное обозначение

По каналу полевого транзистора протекает ток

Найдите соответствующему полевому транзистору его разрез (схематическое устройство)

Найдите соответствующему полевому транзистору его стоко-затворную характеристику

Стоко-затворная характеристика 1 принадлежит

— МДП–транзистору с индуцированным p-каналом

Встроенным называется такой канал в полевых транзисторах, который

— создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии+

Индуцированным называется канал в полевых транзисторах, который

— образован благодаря притоку носителей заряда из
полупроводниковой пластины при приложении к затвору
напряжения относительно истока +

— обратно смещенным p-n-переходом затвор-канал

Может работать с любой полярностью напряжения на затворе полевой транзистор

— МДП-транзистор со встроенным каналом

На затвор полевого транзистора с управляющим p – n – переходом подается напряжение

запирающее p – n –переход между затвором и каналом

Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим p – n – переходом определяется

— напряжением на стоке и затворе

Напряжением отсечки полевого транзистора называют напряжение, при котором

— ток стока равен нулю

Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p – n –переходом возможно

— с помощью напряжения

Канал полевого транзистора с управляющим p – n –переходом имеет наибольшую ширину

Полевой транзистор, включенный по схеме с общим истоком, имеет

— высокое входное и среднее выходное сопротивления+

Входное сопротивление МДП-транзисторов со встроенным каналом составляет величину

Входное сопротивление МДП-транзисторов с индуцированным каналом составляет величину

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным р- каналом при называется

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным п- каналом при называется

Основной причиной шума полевых транзисторов является

Крутизна характеристики полевого транзистора определяется как отношение

— тока стока к напряжению затвор-исток

МДП-транзисторы подразделяются на

— транзисторы с индуцированным каналом

— транзисторы со встроенным каналом

МДП-транзистор с встроенным каналом может работать в режиме

— обеднения и обогащения

МДП-транзистор с индуцированным каналом может работать в режиме

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным р– каналом при называется

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным п– каналом при называется

Усиливает входной сигнал полевой транзистор, работающий по схеме с

Для количественной оценки управляющего действия затвора полевого транзистора используют

— полупроводниковый прибор с тремя и более р-n-переходами,
ВАХ которого содержит участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением +

Тиристор – это полупроводниковый прибор

— с тремя или более р-п переходами, на вольт-амперной характеристики которого есть участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

Сопротивление тиристора в закрытом состоянии

Сопротивление тиристора в открытом состоянии

Тринистор – это тиристор,

— имеющий управляющий электрод

Симистор – это тиристор

— который может работать как в прямом, так и в обратном включении

Электроды тиристора называются

Электроды динистора называются

— диодный симметричный тиристор

— триодный незапираемый тиристор с управлением по аноду

— триодный незапираемый тиристор с управлением по катоду

— запираемый тринистор с управлением по аноду

— запираемый тринистор с управлением по катоду

— триодный незапираемый тиристор с управлением по аноду

— запираемый тринистор с управлением по аноду

— запираемый тринистор с управлением по катоду

— триодный симметричный незапираемый тиристор с управлением по аноду

На практике для перевода триодного тиристора из закрытого состояния в открытое используется способ

— подача положительного напряжения на управляющий электрод+

На практике для перевода триодного тиристора из открытого состояния в закрытое используется способ

— изменение полярности анодного напряжения+

Для того чтобы перевести диодный тиристор (динистор) из закрытого состояния в открытое, нужно

— повысить анодное напряжение+

Для включения тиристора на его управляющий электрод подается

— обратное по отношению к катоду напряжение

Тиристор, который можно включить, осветив кристалл, называется

— в фототиристоре в отличие от обычного тиристора отсутствует обратная ветвь вольт-амперной характеристики с отрицатель­ным напряжением на аноде+

В оптроне происходят следующие преобразования энергии:

— световая в электрическую

В фототранзисторе происходят следующие преобразования энергии:

— световая в электрическую

В полупроводниковом индикаторе происходят следующие преобразования энергии

В светодиоде происходят следующие преобразования энергии

В фотодиоде происходят следующие преобразования энергии

— световая в электрическую

Оптоэлектронный прибор – это устройство

— для преобразования электрического сигнала в оптический и обратно

В оптронной паре в качестве излучателей используются электронные приборы

Укажите неправильное утверждение

— Свойства оптрона не зависят от приемника излучения.

В перечисленных свойствах оптронов указать несоот­ ветствующее действительности.

Включение светодиода в оптронной паре

Включение электрического перехода фотодиода в оптронной паре

Если уменьшить ширину запрещенной зоны полупроводника, который мог излучать в видимой части спектра, то этот полупроводник

— будет излучать в инфракрасной области оптического диапазона

Для своей работы требуют внешней подсветки индикаторы

Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

В качестве приемников излучения в оптронной паре используются

Без навес­ ных элементов могут быть изготовлены микросхемы

Гибридными называют микросхемы, в которых

— используются пленочные элементы и навесные компоненты

Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых

— все элементы выполнены в глубине полупроводниковой подложки

— используется диэлектрическая подложка

Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема

— в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника

Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема

— пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла

Гибридная интегральная микросхема – это микросхема

— пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными

По функциональному назначению интегральные схемы подразделяются на

— аналоговые и цифровые

По виду обрабатываемого сигнала интегральные схемы подразделяются на

— усилительные и импульсные

Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является

Эпитáксия – это технологический процесс

— наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку

Термическое окисление – это

— окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния

— процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек

— операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

Подложки гибридных интегральных схем служат

— диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов и для теплоотвода

В качестве пленочных резисторов интегральных микросхем используются

— полоски металла, сплава металлов, кермет (смесь частиц металла и диэлектрика)

Диэлектрическим слоем пленочных конденсаторов служит

— окислы полупроводниковых материалов

Обкладки тонкопленочных конденсаторов изготавливаются

Невозможно изготовить в структуре полупроводниковой интегральной схемы

В виде пленок гибридных интегральных микросхем изготавливаются

Изоляция интегрального п-р-п транзистора при которой потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры называется

Интегральный п-р-п – транзистор это биполярный транзистор

интегральных полупроводниковых микросхем

Недостаток интегральных биполярных п-р-п– транзисторов

— большая площадь, занимаемая им в микросхеме

Интегральный транзистор с барьером Шоттки предназначен для

— совокупность транзисторов с соединенными базами и соединенными коллекторами

Интегральные диоды полупроводниковых интегральных схем – это диоды

— создаваемые на основе структуры интегральных транзисторов

Использование интегральных биполярных транзисторов в качестве диодов возможно в

Технология изготовления активных элементов интегральных микросхем сложнее

— при использовании биполярных транзисторов

Диффузионные резисторы интегральных микросхем изготавливают

— одновременно с изготовлением эмиттерной или базовой области

Диффузионные конденсаторы интегральных микросхем – это конденсаторы, для формирования которых используется

— все перечисленные электрические переходы

Укажите признак диодного включения транзистора

Укажите признак диодного включения транзистора

Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет

Укажите признак диодного включения транзистора

Укажите признак диодного включения транзистора

Укажите признак диодного включения транзистора

Укажите признак диодного включения транзистора

Укажите признак диодного включения транзистора

Номинальное сопротивление резистора R НОМ = 500 Ом, удельное поверхностное сопротивление материала ρ S = 1000 Ом/квадрат. Коэффициент формы К Ф резистора гибридной микросхемы равен

Указать маркировку микросхемы специального назначения, выполняющей функцию усилителя дифференциального (операционного), выполненной по полупроводниковой технологии.

Указать маркировку микросхемы широкого применения, выполненной по полупроводниковой технологии, выполняющей функцию триггера типа D

Лучшими частотными свойствами обладают биполярные транзисторы интегральных микросхем

Топологический чертёж плёночного резистора показан на рисунке. Сопротивление резистора R =90 кОм, длина площадки l =2 мм, ширина b = 0,2 мм. Удельное поверхностное сопротивление материала r s равно

Топологический чертёж плёночного резистора показан на рисунке. Сопротивление резистора R =50 Ом, длина площадки l =1 мм, ширина b =2 мм. Удельное поверхностное сопротивление материала r s равно

Топологический чертёж плёночного резистора показан на рисунке. Сопротивление резистора R =50 кОм, длина площадки l =2 мм, ширина b =0.2 мм. Удельное поверхностное сопротивление материала r s равно

Укажите параметр, зная который можно оценить быстродействие логического элемента.

— среднее время задержки распространения

Укажите параметр, зная который можно оценить экономичность логического элемента.

— средняя потребляемая мощность

Число «7» можно представить двоичным кодом

Число «5» можно представить двоичным кодом

Число «10» можно представить двоичным кодом

На входы логических элементов, представленных на рисунке, поданы логические единицы. Выберете те из

На входы логических элементов, представленных на рисунке, поданы логические нули. Выберете те из них, которые на выходе получат логическую единицу.

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент и его условное обозначение

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент и его условное обозначение

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент и его условное обозначение

Определите операцию, которую выполняет схема, построенная на логических элементах

— генерирует прямоугольные импульсы

На входы RST триггера подаются сигналы Х1=1, Х2=0. В момент прихода синхроимпульса триггер

— переключится в состояние логической единицы

На входы RS триггера подаются сигналы Х1=1, Х2=0. При этой комбинации входных сигналов триггер

— переключится в состояние логической единицы

Операционные усилители обладают

— большим входным и малым выходным сопротивлением

Операционный усилитель имеет

— два входа и один выход

Операционный усилитель имеет большое входное сопротивление, так как на его входе включен

Коэффициент усиления многокаскадного усилителя определяется как

— произведение коэффициентов усиления каждого каскада

Усилитель состоит из двух каскадов. Коэффициент усиления первого каскада – 10 дБ, второго – 20 дБ. Общий коэффициент усиления равен

Усилитель состоит из двух каскадов. Коэффициент усиления первого каскада – 50, второго – 20. Общий коэффициент усиления равен

Дифференциальный усилитель – это усилитель

— усиливающий только разностный сигнал

Дифференциальный сигнал – это

— два входных сигнала не одинаковых по уровню, но одинаковых по фазе

Качество дифференциального усилителя оценивается

— только коэффициентом подавления синфазного сигнала

В зависимости от того, каким образом подается сигнал в цепь обратной связи с выхода усилителя и на вход усилителя с цепи обратной связи различают

— параллельную обратную связь по напряжению

— последовательную обратную связь по току

— последовательно параллельную обратную связь по току

— последовательную обратную связь по напряжению

Дифференциальный усилитель имеет

— два входа и один выход

Дифференциальный усилитель состоит

— из двух транзисторов

Дифференциальный усилитель усиливает

В усилителе, охваченном обратной связью, сигнал обратной связи совпадает по фазе с входным сигналом и складывается с ним, в этом случае связь называют

— положительной обратной связью

В усилителе, охваченном обратной связью, сигнал обратной связи складывается с входным сигналом и находится в противофазе с ним, в этом случае связь называют

— отрицательной обратной связью

В усилительном каскаде задают напряжения и токи смещения, с целью

Обеспечения положения рабочей точки

В усилительных устройствах отношение выходного сигнала к входному называют

Входное сопротивление усилительного каскада при вводе параллельной обратной связи

Входное сопротивление усилительного каскада при вводе последовательной отрицательно обратной связи

Входное сопротивление усилительного каскада при введении последовательной положительной обратной связи

Входное сопротивление усилительного каскада при введении положительной последовательной обратной связи изменяется на величину

Входное сопротивление усилительного каскада при введении последовательной отрицательной обратной связи изменяется на величину

Выходное сопротивление усилительного каскада при вводе обратной связи по напряжению

Выходное сопротивление усилительного каскада при вводе обратной связи по току

Зависимость амплитудного значения выходного напряжения первой гармоники от амплитуды синусоидального входного напряжения в усилительных устройствах, называется

— амплитудно- частотной характеристикой

Зависимость коэффициента усиления и фазового сдвига усилителя от частоты называется

Зависимость модуля коэффициента усиления от частоты входного сигнала в усилительных устройствах, называется

Зависимость угла сдвига фазы между выходным и входным напряжением от частоты в усилительных устройствах называется

Если усилитель будет охвачен отрицательной обратной связью вид частотной характеристики

Отрицательная обратная связь коэффициент усиления усилителя

Положительная обратная связь коэффициент усиления усилителя

Усилитель, собранный на биполярных транзисторах по схеме с общей базой, усиливает

Усилитель, собранный на биполярных транзисторах по схеме с общим коллектором, усиливает

Усилитель, собранный на биполярных транзисторах по схеме с общим эмиттером, усиливает

— напряжение, ток и мощность

При соединении каскадов в многокаскадном усилителе используются следующие виды межкаскадных связей

Идеальный операционный усилитель должен обладать свойствами

— бесконечно большим коэффициентом усиления

— бесконечно большим входным сопротивлением

Коэффициент обратной связи показывает

— какая часть выходного сигнала поступает на вход усилителя

По способу подачи сигнала обратной связи на вход усилителя различают

— параллельную обратную связь

— последовательную обратную связь

По способу получения сигнала обратной связи с выхода усилителя различают

— обратная связь по напряжению

— обратная связь по току

Усилитель называют эмиттерным повторителем, если он построен на биполярном транзисторе, включенном по схеме с

При последовательной обратной связи с цепи обратной связи на вход усилителя подается

При параллельной обратной связи с цепи обратной связи на вход усилителя подается

Отрицательная обратная связь влияет на входное R bx и выходное R b ы x сопротивления многокаскадного усилителя следующим образом:

Положительная обратная связь влияет на входное R bx и выходное R b ы x сопротивления многокаскадного усилителя следующим образом:

Отрицательная обратная связь полосу пропускания многокаскадного усилителя

Положительная обратная связь полосу пропускания многокаскадного усилителя

Усилитель, предназначенный для усиления разности входных сигналов, называется

Фильтр, пропускающий сигналы одной полосы частот и подавляющий сигналы вне этой полосы, называется

Фильтр, не пропускающий сигналы одной полосы частот и пропускающие сигналы вне этой полосы, называется

— режекторный, заграждающий фильтр

Фильтр, пропускающий высокочастотные сигналы и подавляющий низкочастотные, называется

— фильтр высоких частот

Фильтр, пропускающий постоянные и низкочастотные (от 0 до частоты среза ω c ) сигналы, и подавляющий высокочастотные сигналы, называется

— фильтр низких частот

Схема сдвига уровня в операционном усилителе предназначена для

— обеспечения нулевого постоянного напряжения в нагрузке при

Суммирующий операционный усилитель позволяет складывать сигналы

— как с одинаковыми, так и с разными масштабными коэффициентами

Вычитающий операционный усилитель усиливает

— только при подаче сигналов с разными масштабными коэффициентами

При работе операционного усилителя в линейном режиме напряжение на его выходе

— возрастает с увеличением напряжения U + на прямом входе и уменьшением напряжения U – на инвертирующем

Выходной каскад ОУ должен обеспечивать

— одновременно высокую нагрузочную способность, широкий динамический диапазон и малый уровень искажений.

Эмиттерным повторителем называют усилительный каскад, у которого

— коэффициент усиления по напряжению равен единице

Коэффициент усиления операционного усилителя

Динамическая нагрузка в дифференциальном усилителе

— уменьшает постоянному и увеличивает переменному

Для усилительных устройств основными способами включения ОУ являются

— инвертирующий и неинвертирующий усилитель

Определить выходное напряжение и коэффициент усиления инвертирующего усилителя, если R =1 кОм, R oc =10 кОм, U b х =0,5 В.

Определить коэффициент усиления по мощности К р усилителя в децибелах, если его коэффициент по напряжению К u =20, по току K i =5.

Определить выходную мощность усилителя, если коэффициент усиления по току K i =50, сопротивление нагрузки усилителя составляет 100 Ом, а входной ток I вых = 2 мА.

Определить коэффициент усиления по напряжению двухкаскадного усилителя, если выходное напряжение первого и второго каскадов соответственно равны 0,2 В и 4 В, а напряжение источника входного сигнала- 0,01 В.

Источник

• ← какие микросхемы делают в россии
• какие микросхемы можно программировать →