lb122 ds13s транзистор параметры
Lb122 ds13s транзистор параметры
Наименование производителя: BLD122D
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO126 TO126S TO92 TO92S SOT89
BLD122D Datasheet (PDF)
0.1. bld122dl.pdf Size:554K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD122DLNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD122DLNPN /
0.2. bld122d.pdf Size:632K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD122DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD122DNPN D / D
9.1. bld123dl.pdf Size:560K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD123DLNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD123DLNPN /
9.2. bld128da.pdf Size:233K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DANPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DANPN D /
9.3. bld128d 1.pdf Size:428K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DNPN D / D
9.4. bld128da 1.pdf Size:307K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DANPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DANPN D /
9.5. bld123d.pdf Size:590K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123DNPN D / D
9.6. bld123dal.pdf Size:555K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD123DALNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD123DALNPN
9.7. bld123d 1.pdf Size:410K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123DNPN D / D
9.8. bld128d.pdf Size:264K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DNPN D / D
9.9. bld128d.pdf Size:217K _jilin_sino
9.10. bld128dd.pdf Size:177K _foshan
Lb122 ds13s транзистор параметры
Наименование производителя: HLB122I
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
HLB122I Datasheet (PDF)
Spec. No. : HE9030HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB122INPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorDescriptionThe HLB122I is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-251Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switching s
UTC HLB121 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB121 is a medium power transistor designed for use in switching applications. FEATURES 1* High breakdown voltage * Low collector saturation voltage * Fast switching speed TO-251 1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER *Pb-free plating product number:HLB121L
Spec. No. : HI200202HI-SINCERITYIssued Date : 2002.06.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB123INPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123I is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.TO-251Features High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut
Spec. No. : HE200214HI-SINCERITYIssued Date : 2002.09.01Revised Date : 2004.11.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB125HENPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB125HE is designed for lighting applications and low switch-mode powersupplies. And it is high voltage capability and high switching speeds.TO-220Features High Speed Switching Low Saturation
Spec. No. : HE6727HI-SINCERITYIssued Date : 1998.07.01Revised Date : 2004.11.03MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB124ENPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB124E is designed for high voltage, high speed switching inductive circuits,and amplifier applications.FeaturesTO-220 High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolute
Spec. No. : HT200402HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB123TNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123T is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126 High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut
Spec. No. : HA200112 HI-SINCERITY Issued Date : 2001.04.01 Revised Date : 2007.09.29 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HLB121A NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121A is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-92 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fa
Spec. No. : HD200205HI-SINCERITYIssued Date : 2002.05.01Revised Date : 2005.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB121DNPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorDescriptionThe HLB121D is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-126MLFeatures High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switchi
Spec. No. : HE6603HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.15Revised Date : 2005.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB123DNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123D is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126ML High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut
Spec. No. : HE6412HI-SINCERITYIssued Date : 1998.12.01Revised Date : 2005.02.05MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB120ANPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorsDescriptionThe HLB120A is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-92Features High Breakdown Voltage Low Collector Saturation Voltage Fast Switching S
9.10. hlb121i.pdf Size:44K _hsmc
Spec. No. : HE9027HI-SINCERITYIssued Date : 1996.11.06Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB121INPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorDescriptionThe HLB121I is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-251Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switching s
9.11. hlb123sa.pdf Size:187K _hsmc
Spec. No. : HA200601 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.12.01 Revised Date : 2009.07,02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 HLB123SA NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-92 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings Pa
Транзистор TIP122
TIP122 — Кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный составной транзистор Дарлингтона. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзисторы разработаны для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключающих устройствах.
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.
Типовые термические характеристики
| Характеристика | Символ | Величина |
|---|---|---|
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 62,5 |
| Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 1,92 |
Электрические параметры
Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C.
| Характеристика | Обознач. | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 100 В, IE = 0 | ≤ 0,2 |
| Ток выключения коллектор-эмиттер, мА | ICEO | UCE = 50 В, IB = 0 | ≤ 0,5 |
| Ток базы выключения, мА | IEBO | UEB = 5 В, IC =0 | ≤ 2 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В * | UCE(sat) (1) | IC = 3 А, IB = 12 мА | ≤ 2 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В * | UCE(sat) (2) | IC = 5 А, IB = 20 мА | ≤ 4 В |
| Напряжение включения база-эмиттер, В * | UBE(ON) | IC = 3 А, UCE = 3,0 В | ≤ 2,5 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В * | UCEO(sus) | IC = 30 мА, IB = 0 | 100 |
| Статический коэффициент усиления по току * | hFE (1) | UCE = 3 В, IC = 0,5 А | ≥ 1000 |
| hFE (2) | UCE = 3 В, IC = 3 А | ≥ 1000 | |
| Выходная емкость, pF | COB | UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц | 300 |
٭ — параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.
Модификации транзистора TIP122
| Модель | PC ٭ | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 300 | ≥ 1000 | TO-220 |
| TIP122F | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 200 | ≥ 1000 | TO-220FP ٭٭ |
| TIP122FP | 29 | ||||||||
| TIP122L | 40 | TO-126 | |||||||
| STTIP122 | 65 | TO-220 | |||||||
| HTIP122 | TO-220AB |
٭ — данные для сравнения по мощности приводятся для температуры коллектора транзистора TC = 25°C.
٭٭ — модели транзисторов TIP122F и TIP122FP выполнены в корпусе TO-220FP, обеспечивающем повышенное напряжение пробоя изоляции между выводами и внешним охладителем – 1500 В постоянного тока.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 300 | ≥ 1000 | TO-220 | |
| КТ716А/Б | 60 | 100/80 | 100/80 | 5 | 8/10 | 150 | 6 | 150 | от 500 до 750 | TO-220, TO-66 |
| КТ8116А/Б | 65 | 100 | 5 | 4 | — | 1000 | TO-220 | |||
| КТ8116А/Б | 25 | 100 | 3 | 4 | — | 1000 | DPAK | |||
| КТ8141А | 60 | 100 | 100 | 8 | 7 | — | 750 | TO-220 | ||
| КТ8147А/Б | 100 | 700/500 | — | 8 | 10 | 5 | — | 5 | — | |
| КТ8158В | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 5 | — | 2500 | TO-218 |
Зарубежное производство
| Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | ≥ 1000 | TO-220 |
| NTE261 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| NTE263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| RCA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| SE9302 | 70 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| TIP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| TIP132 | 70 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| WW263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 2N6045G | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220AB |
| 2SD498 | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 3DA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 3DA142T | 80 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 3DD122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
| BDW93C | 80 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 15000 | TO-220 |
| CFD811 | 65 | 110 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220FP |
| HEPS9151 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| HP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| HP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
| HP142T/TS | 80/70 | 100 | 100 | 5 | 10/8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| MJE6045/T | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 TO-220AB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.
Графические данные
Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В.
Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100.
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100.
Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.
Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.
Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.
Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.
Области безопасной работы ограничиваются:
Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).